潘宁放电溅射沉积纳米级AlN薄膜的性质  

Growth and characterization of aluminum nitride films by penning-type discharge plasma sputtering process

作　　者：李慧玉[1] 施芸城[1] 闫永辉[1] 杨平[1] 冯贤平 

机构地区：[1]东华大学,上海200051 [2]波多黎各大学,圣胡安009313343

出　　处：《真空》2006年第2期32-35,共4页Vacuum

基　　金：上海市科学技术发展基金项目(No.0252nm110);教育部科学技术研究重点项目(No.03077);波多黎各大学启动基金

摘　　要：设计并制造了新的潘宁型等离子体源实验装置,分析了等离子体的发射光谱和产生A lN的动力学机理。在室温条件下,纯氮气的工作环境中用潘宁放电离子源溅射的方法,在S i(100)衬底上制备了纳米级的光滑平整A lN薄膜。本文用扫描电镜(SEM),原子力显微镜(ATM),红外吸收光谱(FT IR)和拉曼光谱(R am ansh ift)等测试分析技术用来研究了薄膜的微结构特征。Aluminum nitride ;ilms were synthesized on Si（100） substrates at room temterature by penning-type discharge plasma sputtering process. The surface morphology of the films indicated that the A1N films deposited are very smooth and homogeneous. Their microstructures were investigated by Raman spectroscopy and FTIR spectroscopy.

关 键 词：潘宁放电 溅射 AIN薄膜 

分 类 号：TB43[一般工业技术]