毛世平

作品数:2被引量:4H指数:1
导出分析报告
供职机构:中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
发文主题:XRDZNO薄膜结构XPS退火温度退火更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《压电与声光》更多>>
所获基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
条 记 录,以下是1-2
视图:
排序:
衬底温度对AlN薄膜结构及电阻率的影响被引量:1
《压电与声光》2011年第3期475-478,共4页薛守迪 杨成韬 解群眺 毛世平 
"九七三"计划基金资助项目(51363Z04)
采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AlN薄膜,利用XRD、原子力显微镜(AFM)、电流-电压(I-V)测试仪等对不同衬底下制备薄膜的结构、形貌及电阻率等进行了分析表征。结果表明:随着衬底温度的升高,晶粒逐渐长大,AlN(002)择优取向...
关键词:AIN薄膜 衬底温度 XRD 原子力显微镜(AFM) 
退火对ZnO薄膜结构及缺陷的影响被引量:3
《压电与声光》2011年第2期299-301,319,共4页解群眺 毛世平 薛守迪 
"九七三"计划基金资助项目(51363Z04)
采用射频反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,采用X线衍射(XRD)、X线光电子能谱(XPS)分析方法研究了退火对ZnO薄膜结构及缺陷的影响。结果表明,随着退火温度的上升,薄膜的择优取向及取向一致性更好,晶化程度...
关键词:ZNO薄膜 退火温度 X线衍射(XRD) X线光电子能谱(XPS) 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部