硅基AlN薄膜制备技术与测试分析  

Deposition and Characterization of AlN Thin Films on Silicon

作　　者：于毅[1] 任天令[1] 刘理天[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第1期42-45,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G19990 3 3 10 5 );国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA40 45 0 0 )资助项目~~

摘　　要：采用直流磁控反应溅射法 ,在Si(10 0 ) ,Al/Si(10 0 )和Pt/Ti/Si(10 0 )等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AlN薄膜 .用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析 ,通过优化工艺参数 ,得到了提高薄膜择优取向的方法 ,并分析了不同衬底上AlN晶粒生长的有关机理 .制备的AlN薄膜显示出良好的〈0 0 2〉择优取向性 ,摇摆曲线的半高宽达到 5 6° .Aluminum nitride (AlN) thin films for MEMS devices have been successfully deposited on Si(100),Al/Si(100) and Pt/Ti/Si(100) by DC magnetron reactive sputtering.X-ray diffraction (XRD) and Auger electron spectroscopy(AES) are used to analyze crystalline orientation and components of the films.The influence of different processing parameters on the film preferential orientation is investigated.The growth mechanism of AlN crystallites on different substrates is also discussed.These films show a excellent preferred orientation of 〈002〉 with a rocking curve FWHM of 5.6°.

关 键 词：AIN薄膜 直流磁控反应溅射 择优取向 半高宽 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]