王小宁

作品数：2被引量：5H指数：2
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供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文主题：溶胶-凝胶法DRAMBST薄膜刻蚀动态随机存取存储器更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
发文期刊：《压电与声光》《清华大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室开放课题基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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硅基PZT薄膜的制备与工艺损伤被引量：2
《清华大学学报（自然科学版）》2003年第4期557-560,共4页魏朝刚 任天令 邵天奇 王小宁 李春晓 刘理天 朱钧 
国家教育振兴计划 ;国家"九七三"重点基础研究项目 ( G19990 3 3 10 5 ) ;清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室开放课题基金资助项目
以 Pb Ti O3(PT)作为种子层 ,在 Si衬底上用改进的溶胶凝胶法制备了 PZT薄膜 ,并用 RIE法刻蚀形成 MFM(金属铁电层金属 )结构的电容 ,以用于铁电随机存取存储器 (Fe RAM)中。测得 PZT薄膜相对介电常数、矫顽场和剩余极化强度分别为 10 0...
关键词：铁电薄膜 硅基PZT薄膜 制备工艺 工艺损伤 溶胶-凝胶法 介电常数 矫顽场 剩余极化强度 
应用于DRAM的BST薄膜制备与性能研究被引量：3
《压电与声光》2002年第6期459-462,共4页王小宁 刘建设 任天令 赵宏锦 邵天奇 刘理天 
国家自然科学基金资助项目(69806007);"九七三"基金资助项目(G1999033105)
BaxSr1-xTiO3(BST)是动态随机存取存储器(DRAM)中常规电容介质SiO2的替代材料。用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si及Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了较高品质的BST薄膜。系统地研究了在不同退火条件下薄膜的结晶情况、微结构和电学性能。在室温10...
关键词：DRAM BST薄膜 制备 溶胶-凝胶法 刻蚀 动态随机存取存储器 复合钙钛矿 钛酸锶钡 
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