李春晓

作品数：2被引量：19H指数：2
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供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文主题：氮化物高介电常数材料铁电体硅基PZT矫顽场更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
发文期刊：《清华大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室开放课题基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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硅基PZT薄膜的制备与工艺损伤被引量：2
《清华大学学报（自然科学版）》2003年第4期557-560,共4页魏朝刚 任天令 邵天奇 王小宁 李春晓 刘理天 朱钧 
国家教育振兴计划 ;国家"九七三"重点基础研究项目 ( G19990 3 3 10 5 ) ;清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室开放课题基金资助项目
以 Pb Ti O3(PT)作为种子层 ,在 Si衬底上用改进的溶胶凝胶法制备了 PZT薄膜 ,并用 RIE法刻蚀形成 MFM(金属铁电层金属 )结构的电容 ,以用于铁电随机存取存储器 (Fe RAM)中。测得 PZT薄膜相对介电常数、矫顽场和剩余极化强度分别为 10 0...
关键词：铁电薄膜 硅基PZT薄膜 制备工艺 工艺损伤 溶胶-凝胶法 介电常数 矫顽场 剩余极化强度 
高介电常数材料在半导体存储器件中的应用被引量：17
《固体电子学研究与进展》2002年第3期312-317,共6页邵天奇 任天令 李春晓 朱钧 
高介电常数材料是当前微电子行业最热门的研究课题之一。它的应用为解决当前半导体器件尺寸缩小导致的栅氧层厚度极限问题提供了可能性 ,同时利用一些高介电常数材料具有的特殊物理特性 ,可实现具有特殊性能的新型器件。文中主要介绍几...
关键词：半导体存储器件 高介电常数材料 铁电体 氮化物 铁电场效应管 
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