硅外延用大流量超纯氢气纯化系统的设计技术  

Design Technique for a High Flux Ultrapure Hydrogen Purification System for Silicon Epitaxy

作　　者：陈洪波[1] 冯建[1] 熊化兵[1] 李文[1] 李智囊[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《微电子学》2002年第5期389-390,394,共3页Microelectronics

摘　　要：在半导体集成电路制造工艺中 ,超纯氢气是必不可少的重要工艺气体。特别是在硅外延工艺中 ,氢气对工艺质量起着决定性作用。因此 ,对氢气的指标要求比较苛刻 ,其纯度应大于99.9999% ,而且必须是大流量连续供应。文章主要从流体学和传热学两方面 ,系统地介绍了利用超低温吸附方法提纯大流量超纯氢气设备的关键设计技术。In the manufacture of semiconductor IC's, the ultra pure hydrogen is an essential process gas, which is especially critical to the quality of epitaxy process In silicon epitaxy, the hydrogen should be 99 9999% pure, and it is required to be provided uninterruptedly in high flux With respect to hydromechanics and heat transfer, techniques critical to the design of a high flux hydrogen purification system for silicon epitaxy are dealt with

关 键 词：硅外延 纯化系统 超纯氢气 雷诺准数 努塞尔特准数 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]