GaN基紫外探测器的研究与制备(英文)  

GaN-based Ultraviolet Photodetectors Fabricated by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

作　　者：杨辉[1] 赵德刚[1] 张书明[1] 朱建军[1] 冯志宏[1] 段俐宏[1] 刘素英[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京100083

出　　处：《发光学报》2001年第z1期87-90,共4页Chinese Journal of Luminescence

基　　金：国家自然科学基金委国家杰出青年基金资助项目~~

摘　　要：报道了用MOCVD方法在GaAs衬底上制作p GaN/InGaN/n GaN结构紫外探测器。我们对器件进行了测试分析。根据器件光伏信号强度和相位的测量结果 ,我们得到了该器件的能带结构图。我们还发现Ni/Au电极与p GaN之间的接触表现出肖特基接触的特性。该探测器在入射光波长为 375nm处的响应度大约为 7 4× 1 0 -3 A/W。The fabrication and characteristic of photodetector using p GaN/InGaN/n GaN st ructure grown on GaAs substrate by metalorganic vapor deposition were reported i n this paper.According to the photovoltaic spectrum, the energy band diagra m of the photodetector is given.It is found that the contact of Ni/Au to p GaN shows the characteristic of Schottky barrier.The responsitivity of the photodetector at 375nm is about 7 4×10 -3A/W.

关 键 词：GAN 紫外探测器 MOCVD 

分 类 号：TN364[电子电信—物理电子学]