微硅隧道加速度变送器的优化设计  

A Micromachined Tunneling Acceleration Transducer

作　　者：龙志峰[1] 韩荔[1] 李庆祥[1] 白立芬[1] 

机构地区：[1]清华大学精密仪器与机械学系,北京100084

出　　处：《仪器仪表学报》2001年第z2期193-1294,201,共3页Chinese Journal of Scientific Instrument

基　　金：国家自然科学基金项目 (598750 52 )

摘　　要：本文设计了一种采用表面工艺的微硅隧道加速度变送器 ,其参数经有限元分析优化 ,并采用了平头隧道电极 ,变送器的控制采用“力平衡”方式。设计时重点考虑和成熟工艺的兼容性 ,其全部微细结构加工都只在硅片的一个表面上进行 。The authors have designed a new miniaturized surface micromachined tunneling transducer. The transducer structures are fabricated on the surface of a single silicon wafer and consist of a polysilicon bridge with electrostatic deflection electrodes and a flat tunneling one underneath. The structure are verified by FEM (Finite Elements Method). The device are operated in a force rebalance feedback mode. The processing of the transducer is ongoing.

关 键 词：隧道 加速度计 变送器 表面工艺 

分 类 号：TP21[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]