MOCVD生长Ⅲ族氮化物镓源的选择  

Selection of Gallium Growth by MOCVD

作　　者：顾星[1] 叶志镇[1] 赵炳辉[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州310027

出　　处：《半导体光电》2002年第2期109-113,共5页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (6 0 0 46 0 0 1)

摘　　要：MOCVD是生长Ⅲ族氮化物材料最成功的技术之一。镓源的选择是该技术中重要的一环。详细比较了三甲基镓和三乙基镓两种主要的镓源对生长样品在微结构、表面形态、电学性质和光学性质方面的不同影响 。MOCVD is one of the most successful technologies in the growth of group Ⅲ nitride.The selection of gallium is an important procedure in this technology.In this paper,the influence of two major gallium sources(TMGa and TEGa)on the microstructure,morphology, electronic and optic properties of the samples is discussed in details.Factors causing different influence are proposed.

关 键 词：MOCVD 镓源 Ⅲ族氮化物 GAN TMGa TEGa 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]