顾星

作品数：4被引量：5H指数：2
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供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文主题：氮化物GAN镓氮化镓C轴取向更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《半导体光电》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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采用金属镓层氮化技术在石英衬底上生长多晶GaN
《真空科学与技术》2003年第2期120-122,共3页邵庆辉 叶志镇 Nasser N.Morgan 顾星 黄靖云 赵炳辉 
国家重大基础研究项目基金资助 (No 2 0 0 0 0 683 0 6)
随着多晶GaN材料发光研究的不断深入 ,大面积、价格低廉的多晶GaN基光电器件的研制已成为工业生产中一个重要的研究领域。石英玻璃以其自身特有的优势 ,成为生长多晶GaN材料的较为理想的衬底。本文采用一种新的金属镓层氮化技术 ,使用...
关键词：石英衬底 镓层氮化技术 金属 GAN 氮化镓 半导体 多晶材料 
氧压对PLD法硅上生长c轴取向LiNbO_3晶体薄膜的影响被引量：3
《真空科学与技术》2003年第2期129-131,135,共4页王新昌 叶志镇 何军辉 黄靖云 顾星 卢焕明 赵炳辉 
国家自然科学基金重大研究规划项目资助 (No 90 10 10 0 9)
本文采用脉冲激光沉积 (PLD)法在Si衬底上生长c轴取向LiNbO3 (LN)晶体薄膜 ,研究氧气压强对薄膜质量的影响。结果表明 ,氧压是生长c轴择优取向LN薄膜的一个重要影响参数。X射线衍射和透射电子显微镜分析表明 ,氧压为 30Pa时生长得到了完...
关键词：PLD法 硅衬底 LiNb03晶体薄膜 C轴取向 薄膜生长 脉冲激光沉积 氧压 铌酸锂薄膜 半导体 
Ⅲ族氮化物基发光二极管制造工艺
《微纳电子技术》2003年第2期6-9,共4页顾星 叶志镇 
国家自然科学基金(60046001)
Ⅲ族氮化物是近年来半导体发光器件研究领域中的热点。由于InN,GaN,AlN及由其组成的连续变化固溶体合金所构成的半导体微结构材料,具有宽禁带宽电子漂移饱和速度高、介电常数小及导热性能好等特点,使其在制作短波长、高亮度的发光器件...
关键词：Ⅲ族氮化物 发光二极管 制造工艺 氮化镓 薄膜 
MOCVD生长Ⅲ族氮化物镓源的选择被引量：2
《半导体光电》2002年第2期109-113,共5页顾星 叶志镇 赵炳辉 
国家自然科学基金资助项目 (6 0 0 46 0 0 1)
MOCVD是生长Ⅲ族氮化物材料最成功的技术之一。镓源的选择是该技术中重要的一环。详细比较了三甲基镓和三乙基镓两种主要的镓源对生长样品在微结构、表面形态、电学性质和光学性质方面的不同影响 。
关键词：MOCVD 镓源 Ⅲ族氮化物 GAN TMGa TEGa 
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