邵庆辉

作品数：5被引量：6H指数：2
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发文主题：欧姆接触氮化镓镓半导体材料接触电阻率更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《微纳电子技术》《材料导报》《浙江大学学报（工学版）》更多>>
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AlGaN肖特基势垒二极管的研制被引量：1
《浙江大学学报（工学版）》2004年第10期1244-1247,共4页邵庆辉 叶志镇 黄靖云 赵炳辉 江红星 林景瑜 
国家重大基础研究项目基金资助项目(G2000068306).
为研制适合高温高压下工作的整流器件,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长的AlGaN/GaN/蓝宝石材料,采用电子束蒸发的方法,用Au和Ti/Al分别作为肖特基接触和欧姆接触的电极,制备了AlGaN肖特基二极管,并对其工艺过程和器件特性进行...
关键词：ALGAN 肖特基势垒二极管 势垒高度 
采用金属镓层氮化技术在石英衬底上生长多晶GaN
《真空科学与技术》2003年第2期120-122,共3页邵庆辉 叶志镇 Nasser N.Morgan 顾星 黄靖云 赵炳辉 
国家重大基础研究项目基金资助 (No 2 0 0 0 0 683 0 6)
随着多晶GaN材料发光研究的不断深入 ,大面积、价格低廉的多晶GaN基光电器件的研制已成为工业生产中一个重要的研究领域。石英玻璃以其自身特有的优势 ,成为生长多晶GaN材料的较为理想的衬底。本文采用一种新的金属镓层氮化技术 ,使用...
关键词：石英衬底 镓层氮化技术 金属 GAN 氮化镓 半导体 多晶材料 
AlGaN/GaN基HEMT器件的研究进展(英文)被引量：2
《微纳电子技术》2003年第2期10-13,16,共5页邵庆辉 李蓓 叶志镇 
Project supported by the State Major Basic Research Programe of China(G2000068306)
由于AlGaN具有高的击穿电场(3 MV/cm,是GaAs的7.5倍),且在AlGaN/GaN异质结处存在高浓度的极化诱导二维电子气,AlGaN基高电子迁移率晶体管是目前最适合应用于微波大功率放大领域的器件。着重对影响高频大功率AlGaN/GaN性能的材料结构和...
关键词：AlGaN/GaN基HEMT器件 电子迁移率 晶体管 二维电子气 
GaN基器件中的欧姆接触被引量：3
《材料导报》2003年第3期38-40,44,共4页邵庆辉 叶志镇 黄靖云 
国家重大基础研究项目基金(编号No.G2000068306)
GaN材料以其优良的光电性质,已成为制造发光器件和高温大功率器件的最有前途的材料。欧姆接触是制备GaN基器件的关键技术之一。着重论述了在n-GaN和p-GaN上制备欧姆接触的研究现状。
关键词：GaN基器件 氮化镓 欧姆接触 接触电阻率 半导体材料 电子器件 发光器件 微波器件 
二次退火对Al/Ti/n-GaN/Si欧姆接触的影响
《微纳电子技术》2003年第1期12-14,共3页邵庆辉 李蓓 李嘉炜 黄靖云 叶志镇 
国家重大基础研究基金资助项目(G2000068306)
采用热壁外延的方法在硅衬底上生长出n-GaN晶体,制成了Ti/Al双层电极的欧姆接触。通过对不同退火条件下的I-V特性曲线、X射线衍射及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对该接触的影响,并提出了一种新的二次退火的方法。结果表明,经过...
关键词：二次退火 Al/Ti/n-GaN/Si 欧姆接触 氮化镓 界面固相反应 
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