凹槽栅场调制板结构AlGaN/GaN HEMT  

Recessed-Gate AlGaN/GaN HEMTs with Field-Modulating Plate

作　　者：陈堂胜[1] 王晓亮[1] 焦刚[1] 钟世昌[1] 任春江[1] 陈辰[1] 李拂晓[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016 中国科学院半导体研究所,北京,100083 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期398-401,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs,采用凹槽栅和场调制板结构有效抑制了器件的电流崩塌,提高了器件的击穿电压和器件的微波功率特性.研制的1mm栅宽器件在8GHz,34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB,功率附加效率为46%.

关 键 词：宽禁带半导体 AlGaN/GaN)高电子迁移率晶体管 场板 凹槽栅 

分 类 号：TN325+.3[电子电信—物理电子学]