AlGaN/GaN异质结场效应晶体管的阈值电压  

Threshold Voltage of AlGaN/GaN HFET

作　　者：林兆军[1] 赵建芝[1] 张敏[1] 

机构地区：[1]山东大学物理与微电子学院,济南,250010 山东大学物理与微电子学院,济南,250010 山东大学物理与微电子学院,济南,250010

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期422-425,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：利用AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaN HFET)栅结构的电容-电压(C-V)特性确定AlGaN/GaN HFET的阈值电压.通过对模拟计算得到的AlGaN/GaN HFET电流-电压(I-V)特性曲线与测试得到的AlGaN/GaN HFET曲线比较分析,证实了依据AlGaN/GaN HFET栅结构的C-V特性曲线的微分极值点确定阈值电压是一种切实可行的方法.

关 键 词：ALGAN/GAN HFET 阈值电压 C-V曲线 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]