成核层退火压力对形成高阻GaN的作用  

Effects of Annealing Pressure of Nucleation Layer on High-Resistivity GaN

作　　者：许谏[1] 沈波[1] 许福军[1] 苗振林[1] 王茂俊[1] 黄森[1] 鲁麟[1] 潘尧波[1] 杨志坚[1] 张国义[1] 

机构地区：[1]北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期127-129,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60325413),国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604908),教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:705002)和北京市自然科学基金(批准号:4062017)资助项目

摘　　要：采用了MOCVD生长技术来获得高阻GaN,发现GaN的方块电阻会随着成核层退火压力的降低而迅速升高.当成核层退火压力降到75torr时,形成了高阻GaN,方块电阻达到1011Ω/□以上.原子力显微镜结果显示高阻GaN的表面非常平整,表面粗糙度只有0.15nm.在位激光检测发现高阻样品的成核层经过退火后会形成密度较高的成核岛.样品的X射线分析结果表明,随着退火压力的改变,刃型位错相对于螺型位错会有较大变化.说明刃型位错是GaN电阻变化的主要原因.

关 键 词：刃型位错 MOCVD 高阻GaN 

分 类 号：O782[理学—晶体学]