黄森

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供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
发文主题：GAN异质结成核GAN异质结构ZN更多>>
发文领域：电子电信理学电气工程更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
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GaN和AlxGa1-xN/CaN异质结的高温性质
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期376-378,共3页王茂俊 沈波 王彦 黄森 许福军 许谏 杨志坚 张国义 
国家自然科学基金(批准号:60325413),国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604908),教育部科技创新工程重大项目培育基金(批准号:705002)和北京市自然科学基金(批准号;4062017)资助项目
通过高温Hall测量研究了GaN和AlxGa1-xN/GaN异质结从室温到500℃高温下的输运性质.实验发现GaN背景载流子浓度随着温度的升高而升高,载流子浓度变化的幅度和GaN的位错密度存在正比关系,持续光电导的跃迁幅度和GaN的位错密度也存在正比关...
关键词：GAN AlxGa1-xN/GaN异质结 位错 HALL 高温 
成核层退火压力对形成高阻GaN的作用
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期127-129,共3页许谏 沈波 许福军 苗振林 王茂俊 黄森 鲁麟 潘尧波 杨志坚 张国义 
国家自然科学基金(批准号:60325413),国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604908),教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:705002)和北京市自然科学基金(批准号:4062017)资助项目
采用了MOCVD生长技术来获得高阻GaN,发现GaN的方块电阻会随着成核层退火压力的降低而迅速升高.当成核层退火压力降到75torr时,形成了高阻GaN,方块电阻达到1011Ω/□以上.原子力显微镜结果显示高阻GaN的表面非常平整,表面粗糙度只有0.15...
关键词：刃型位错 MOCVD 高阻GaN 
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