GaN和AlxGa1-xN/CaN异质结的高温性质  

High Temperature Performance of GaN and AlxGa1-xN/GaN Heterostructures

作　　者：王茂俊[1] 沈波[1] 王彦[1] 黄森[1] 许福军[1] 许谏[1] 杨志坚[1] 张国义[1] 

机构地区：[1]北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期376-378,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60325413),国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604908),教育部科技创新工程重大项目培育基金(批准号:705002)和北京市自然科学基金(批准号;4062017)资助项目

摘　　要：通过高温Hall测量研究了GaN和AlxGa1-xN/GaN异质结从室温到500℃高温下的输运性质.实验发现GaN背景载流子浓度随着温度的升高而升高,载流子浓度变化的幅度和GaN的位错密度存在正比关系,持续光电导的跃迁幅度和GaN的位错密度也存在正比关系,说明位错相关的深施主或者陷阱对GaN在高温下的背景浓度有很大影响.实验发现AlxGa1-xN/GaN异质结中二维电子气的浓度在室温到250℃的范围内随着温度的升高而下降,然后随着温度的升高开始增加.前者主要是由于随着温度的升高,AlxGa1-xN/GaN异质结的导带不连续减小引起的,后者主要是由GaN层背景载流子浓度增加导致的.通过求解自洽的薛定谔和泊松方程得到的二维电子气浓度的温度关系和实验结果一致.

关 键 词：GAN AlxGa1-xN/GaN异质结 位错 HALL 高温 

分 类 号：O472+.4[理学—半导体物理]