许谏

作品数：3被引量：1H指数：1
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供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
发文主题：成核刃型位错MOCVD生长GAN退火更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：高等学校科技创新工程重大项目北京市自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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高Al组分Al_xGa_(1-x)N薄膜的弹性-塑性力学性质被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第10期1551-1554,共4页许福军 沈波 王茂俊 许谏 苗振林 杨志坚 秦志新 张国义 蔺冰 白树林 
国家自然科学基金(批准号:60325413;60628402);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604908;2006CB921607);教育部科技创新工程重大项目培育基金(批准号:705002);北京市自然科学基金(批准号:4062017)资助项目~~
采用纳米压痕方法,研究了AlN/spphire模板上的高Al组分AlxGa1-xN薄膜的力学性质,特别是弹性-塑性转变行为.研究表明,AlxGa1-xN薄膜的杨氏模量E随着Al组分的增加而增大,薄膜中产生塑性形变所必要的剪切应力也随着Al组分的增加而增大.在Al...
关键词：AlxGa1-xN薄膜 杨氏模量 力学性质 塑性形变 
GaN和AlxGa1-xN/CaN异质结的高温性质
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期376-378,共3页王茂俊 沈波 王彦 黄森 许福军 许谏 杨志坚 张国义 
国家自然科学基金(批准号:60325413),国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604908),教育部科技创新工程重大项目培育基金(批准号:705002)和北京市自然科学基金(批准号;4062017)资助项目
通过高温Hall测量研究了GaN和AlxGa1-xN/GaN异质结从室温到500℃高温下的输运性质.实验发现GaN背景载流子浓度随着温度的升高而升高,载流子浓度变化的幅度和GaN的位错密度存在正比关系,持续光电导的跃迁幅度和GaN的位错密度也存在正比关...
关键词：GAN AlxGa1-xN/GaN异质结 位错 HALL 高温 
成核层退火压力对形成高阻GaN的作用
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期127-129,共3页许谏 沈波 许福军 苗振林 王茂俊 黄森 鲁麟 潘尧波 杨志坚 张国义 
国家自然科学基金(批准号:60325413),国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604908),教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:705002)和北京市自然科学基金(批准号:4062017)资助项目
采用了MOCVD生长技术来获得高阻GaN,发现GaN的方块电阻会随着成核层退火压力的降低而迅速升高.当成核层退火压力降到75torr时,形成了高阻GaN,方块电阻达到1011Ω/□以上.原子力显微镜结果显示高阻GaN的表面非常平整,表面粗糙度只有0.15...
关键词：刃型位错 MOCVD 高阻GaN 
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