MOCVD方法制备高Al组分AlGaN  

Growth of High Al Content AlGaN Epilayer by MOCVD

作　　者：王晓燕[1] 王晓亮[1] 胡国新[1] 王保柱[1] 李建平[1] 肖红领[1] 王军喜[1] 刘宏新[1] 曾一平[1] 李晋闽[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期193-196,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683,2002CB311903),国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA305304)和国家自然科学基金(批准号:60136020)资助项目

摘　　要：利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上外延生长了高Al组分的AlGaN薄膜.采用透射谱的方法确定AlGaN外延层的带隙,采用X光双晶衍射(DCXRD)的ω扫描摇摆曲线表征AlGaN外延层晶体质量,采用扫描电子显微镜表征AlGaN外延层的表面形貌.对生长压力为1.33×104和0.66×104Pa的两个样品的光学性质、晶体质量及表面形貌进行了对比.

关 键 词：MOCVD ALGAN 透射谱 XRD SEM 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]