ZnO-MOCVD水平反应室几何结构的模拟  

Simulation of the ZnO-MOCVD Horizontal Reactor Geometry

作　　者：刘松民[1] 顾书林[1] 朱顺明[1] 叶建东[1] 刘伟[1] 张荣[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京,210093 江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京,210093 江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京,210093 江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京,210093 江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京,210093 江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京,210093 江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京,210093

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期309-311,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:G001CB3095)和国家自然科学基金(批准号:60576017,60390073,50532100)资助项目

摘　　要：采用基于计算流体力学(CFD)的数值计算方法,对自制的生长ZnO的MOCVD(金属有机物化学气相淀积)反应室内的流场进行了三维数值模拟和分析.数值模拟采用有限体积差分方法对系统的控制方程进行离散.通过解决流体的能量、动量、质量和物种守恒方程,研究了气体入口的倾斜角度对衬底表面淀积的ZnO分布的影响,并研究了不同的衬底位置对生长速率的影响.计算结果对ZnO-MOCVD系统结构的优化提供了一个有力的参考依据.

关 键 词：ZNO MOCVD 数值模拟 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]