云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 刘伟

刘伟: 作品数：11被引量：23H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：南京大学物理学院更多>>; 发文主题：MOCVD膨胀石墨ZNOPACC光致发光谱更多>>; 发文领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>; 发文期刊：《发光学报》《磁性材料及器件》《核技术》《Journal of Semiconductors》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划南京工程学院科研基金更多>>

Fe_xN-膨胀石墨复合材料的制备及其电磁屏蔽效能被引量：2: 《磁性材料及器件》2014年第4期1-5,19,共6页黄玉安杨健刘伟张瑞利唐涛张世远黄润生; 国家863计划资助项目(2006AA03Z458);国家自然科学基金资助项目(50977042;10904061);南京工程学院科研基金资助项目(YKJ201002); 以醋酸铁为前驱体、乙醇为溶剂,通过浸渍、干燥、H2预还原以及NH3氮化,将粒径为100~600nm磁性纳米FexN颗粒植入膨胀石墨(EG)得到FexN-EG复合材料,随氮化温度升高FexN物相主要为Fe4N、Fe2~3N、FeN,所得FexN饱和磁化强度较高,为软磁材料...; 关键词：纳米氮化铁颗粒膨胀石墨氮化温度穆斯堡尔谱屏蔽效能

^(90)Sr/^(90)Y放射性激发等离子体隐身研究被引量：1: 《核技术》2014年第3期19-23,共5页朱家柱刘伟崔驰王翔黄玉安张瑞利唐涛黄润生; 国家863计划(No.2006AA03Z458);国家自然科学基金(No.50977042;10904061)资助; 依据90Sr/90Y的β衰变电子能谱分布,并考虑空气中电子扩散与复合规律,计算出不同活度的放射源致空气电离的电子密度分布;再利用WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin)方法计算了涂覆90Sr/90Y的无限大金属板激发等离子体对不同入射角度、不同...; 关键词：等离子体电子密度反射率隐身技术放射性激发

液相还原法制备的Fe纳米颗粒-膨胀石墨电磁屏蔽材料被引量：3: 《磁性材料及器件》2013年第1期1-5,72,共6页刘伟杨健黄玉安翟亚张瑞利唐涛张世远黄润生; 国家863计划资助项目(2006AA03Z458);国家自然科学基金资助项目(50977042;10904061); 用液相还原法制备了Fe纳米颗粒植入膨胀石墨的抗信息泄露(电磁屏蔽)复合材料;制备过程中,膨胀石墨增强层面上生成的Fe颗粒的结晶度;络合剂酒石酸钾钠增强生成颗粒的抗氧化性,产物中铁氧化物和非晶FeB成分比例减少,复合材料铁磁性增强。...; 关键词：铁纳米颗粒膨胀石墨液相还原电磁屏蔽

氮化铁/膨胀石墨的穆斯堡尔谱研究被引量：1: 《核技术》2013年第1期71-75,共5页刘伟杨健黄玉安翟亚张瑞利唐涛黄润生; 国家863计划(2006AA03Z458);国家自然科学基金(50977042;10904061)资助; 用气氛还原氮化法成功将氮化铁纳米颗粒植入膨胀石墨,制备出具有优良磁性和射频屏蔽效能的材料。XRD测量表明不同温度氮化反应,制备的材料中含铁物相有变化。用57Fe的穆斯堡尔谱,详细分析了不同反应温度下反应产物的相组分。结果表明,...; 关键词：氮化铁膨胀石墨穆斯堡尔谱

N掺杂ZnO薄膜的接触特性被引量：1: 《发光学报》2008年第3期503-507,共5页单正平顾书林朱顺明刘伟刘少波刘雪冬汤琨张荣郑有炓; 国家重点基础研究规划(2006CB921803);中国高科技发展研究项目(2007AA03Z404);国家自然科学基金(60776013;60576017;50532100)资助项目; 氧化锌(ZnO)是一种直接带隙半导体材料,室温下带隙为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO因其优越的光电特性在高亮度蓝紫光发光器件、紫外探测器件和短波长激子型激光器等方面具有广阔的应用前景。而要实现大功率的光电器件,稳定可靠的欧姆...; 关键词：N掺杂ZnO NI/AU 快速退火欧姆接触

纳米ZnO生长及性质分析被引量：3: 《发光学报》2008年第3期527-531,共5页刘少波顾书林刘伟张丹羽刘雪冬朱顺明丁维平张荣郑有炓; 南京大学科研基金资助项目(2006CL03); 利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在表面含有ZnO颗粒作为催化剂的Si(111)衬底上制备了ZnO纳米柱阵列。采用X射线衍射(XRD)、喇曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱分析了样品的晶体结构质量、表面性质和光...; 关键词：ZnO纳米柱气-液-固/气-固生长机制低压金属有机化学气相沉积法

MOCVD生长中载气H_2对N掺杂ZnO性质的影响被引量：7: 《发光学报》2008年第3期441-446,共6页刘雪冬顾书林李峰朱顺明刘伟叶建东单正平刘少波汤琨朱光耀张荣郑有炓; 国家重点基础研究规划(G001CB3095);国家自然科学基金(60276011;60390073);国家"863"计划(2002AA311060)资助项目; 采用MOCVD方法在石英衬底上生长ZnO。实验使用二乙基锌(DEZn)为锌源,N2O作为氧和氮源,H2作为载气。采用PL和Raman光谱方法对ZnO样品进行表征,结果表明H2的加入大幅度减少薄膜中碳的掺入,明显改善了薄膜的光学质量。采用N2O离化技术,可...; 关键词：氧化锌载气金属有机源化学气相沉积离化

ZnO-MOCVD水平反应室几何结构的模拟被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期309-311,共3页刘松民顾书林朱顺明叶建东刘伟张荣郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G001CB3095)和国家自然科学基金(批准号:60576017,60390073,50532100)资助项目; 采用基于计算流体力学(CFD)的数值计算方法,对自制的生长ZnO的MOCVD(金属有机物化学气相淀积)反应室内的流场进行了三维数值模拟和分析.数值模拟采用有限体积差分方法对系统的控制方程进行离散.通过解决流体的能量、动量、质量和物种守...; 关键词：ZNO MOCVD 数值模拟

Fabrication and Emission Properties of a n-ZnO/p-GaN Heterojunction Light-Emitting Diode: 《Journal of Semiconductors》2006年第2期249-253,共5页周昕顾书林朱顺明叶建东刘伟刘松民胡立群郑有炓张荣施毅; We report the fabrication and characterization of light-emitting diodes based on n-ZnO/p-GaN heterojunctions. The n-type ZnO epilayer is deposited by metalorganic chemical vapor deposition （MOCVD） on a MOCVD grown M...; 关键词：ZnO/GaN heterojunction light-emitting diode metalorganic chemical vapor deposition etchingtechnology

ZnO纳米岛的MOCVD自组装生长被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2004年第7期804-808,共5页周昕顾书林叶建东顺明秦锋刘伟胡立群张荣施毅郑有炓; 国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G0 0 1CB3 0 95 ) ;国家自然科学基金 (批准号 :G60 2 760 11;60 2 90 0 83 );国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2 AA3 110 60 )资助项目~~; 利用低压金属有机源气相沉积 (L P- MOCVD)技术 ,在 (0 0 0 1 )蓝宝石衬底上生长 Zn O纳米岛 ,发现在适当的生长条件下 ,可以生长出规则排列的纳米岛 .实验发现随着生长时间的增加 ,在蓝宝石衬底上沉积的 Zn O晶体颗粒无论是密度还是体...; 关键词：ZnO纳米岛金属有机源化学气相沉积光致发光谱原子力显微镜 PACC 7855 0779

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