NI/AU

作品数:59被引量:68H指数:4
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FPC板电镀镍金焊盘掉件失效原因分析
《电子产品可靠性与环境试验》2024年第1期91-95,共5页汪洋 李晓倩 张宣 王有成 
柔性电路板(FPC)广泛地应用于各种电子产品中,随着电子产品的小型化,表面贴装技术(SMT)普遍地应用于电路装连,以实现元器件间的电气导通和信号传输。现介绍一种电镀镍金FPC板在SMT后出现掉件的失效概况,通过体视显微镜、剪切力测试、扫...
关键词:失效分析 掉件 电镀Ni/Au 柔性电路板 
TiW/Ni/Au爆炸箔制备及性能研究被引量:2
《兵工学报》2023年第12期3826-3835,共10页李思宇 董晓芬 王云鹏 李帅 王端 王庆华 
爆炸箔起爆器因其高可靠性、高安全性而在各类战术武器中备受青睐,但其起爆需要较高的输入能量和电压,需配备专门的起爆线路,导致成本高、体积大,在常规武器中应用受限。为顺应爆炸箔起爆器低能化、小型化的发展趋势,获得充电电压在1.5...
关键词:爆炸箔 磁控溅射法 电爆特性测试 光子多普勒飞片测速 
聚苯胺修饰金电极传感器的制备及在废水4-硝基苯酚检测中的应用
《运城学院学报》2023年第3期29-36,共8页秦建芳 康婧 霍雅倩 姚陈忠 杨海英 
国家自然科学基金项目(U1810110);山西省省筹留学人员回国科研项目(2020-140);运城学院应用研究项目(CY-2021012)。
4-硝基苯酚(4-NP)为典型具有“三致”效应的环境优先控制污染物。建立废水中4-NP快速、灵敏的检测方法,对提高监测时效具有重要意义。在酸性水溶液中,以过二硫酸铵作引发剂,采用化学氧化法制备聚苯胺(PANI),对4-NP表现出良好的电催化性...
关键词:PANI/Au 4-硝基苯酚 催化速率常数 扩散系数 
基于多壁碳纳米管/聚苯胺/离子液体复合物的对乙酰氨基酚电化学传感器被引量:4
《分析科学学报》2021年第5期670-674,共5页秦建芳 孙鸿 姜秀平 秦英恋 康婧 杨海英 
山西省应用基础研究计划青年项目(No.201901D211460);特色农产品发展学科群大学生创新创业训练(No.XK-201957);山西省省筹留学回国人员科研项目(No.2020-140);运城学院应用化学重点学科项目(No.XK-2019055,XK-201961,XK-201968);运城学院2019年度应用研究项目(CY-2019034)。
以多壁碳纳米管(MWCNTs)、离子液体(IL)及导电聚合物聚苯胺(PANI)为修饰剂,构建了MWCNTs/IL/PANI/Au复合电极,并实现了对乙酰氨基酚(ACOP)的测定。结果表明:ACOP浓度在6.98×10^(-6)~6.80×10^(-4)mol/L浓度范围内与峰电流呈良好的线性...
关键词:MWCNTs/IL/PANI/Au 修饰电极 对乙酰氨基酚 催化机理 
基于机械剥离β-Ga2O3的Ni/Au垂直结构肖特基器件的温度特性被引量:2
《物理学报》2020年第13期282-291,共10页龙泽 夏晓川 石建军 刘俊 耿昕蕾 张赫之 梁红伟 
大连市科技创新基金(批准号:2018J12GX060);国家重点研发计划(批准号:2016YFB0400600,2016YFB0400601)资助的课题.
本文制备了基于机械剥离β-Ga2O3的Ni/Au垂直结构肖特基器件,对该器件进行了温度特性I-V曲线测试.器件表现出了良好的二极管特性,随着温度从300 K升高至473 K,势垒高度从1.08 e V上升至1.35 e V,理想因子从1.32降低至1.19,二者表现出了...
关键词:氧化镓 机械剥离 肖特基二极管 温度特性 
氧化锆陶瓷Cu/Ni/Au镀层的制备及性能被引量:1
《化工设计通讯》2020年第4期93-94,共2页任鹏 
采用PVD与化学镀相结合的方法,对氧化锆陶瓷进行金属化处理,制备出性能优异的铜镍金镀层。工艺条件:化学铜镀pH12.5,温度50℃,施镀时间10min;化学镍镀pH5.0,温度75℃,施镀时间15min;化学镀金PH6.5,温度88℃,施镀时间60min。在上述工艺...
关键词:化学镀 陶瓷 金属化 铜镍金 
钎焊中Au80Sn20共晶钎料与Ni/Au镀层的界面反应被引量:1
《电焊机》2020年第2期19-24,I0003,I0004,共8页胡子翔 张阳阳 王梅 王昭漫 杨欢天 
国防基础科研项目(JCKY2016210B002)
采用Au80Sn20共晶钎料钎焊4J34可伐合金基板与铝硅基板(50%Si-Al),板材表面均有Ni/Au镀层。通过光学显微镜研究了工艺参数对钎缝宏观形貌的影响。采用扫描电镜、EDS能谱分析和XRD检测研究了钎缝组织成分以及钎料与基板、基板镀层间的元...
关键词:共晶钎料 4J34可伐合金 界面反应 异种金属 连接机理 
Ni/Au透明导电薄膜在GaN基LED中的应用
《半导体技术》2019年第10期773-777,共5页王乐 郭伟玲 王嘉露 杨新 孙捷 
科技部重点专项资助项目(2017YFB0403102)
为改善GaN基LED的p型氮化镓(p-GaN)与透明导电层之间的接触性能,采用磁控溅射法在p-GaN上制备了Ni/Au透明导电层。定性地分析了两种金属在薄膜中的作用,通过测量Ni/Au透明导电薄膜退火后的比接触电阻率、方块电阻和透过率来获取最优金...
关键词:p型氮化镓(p-GaN) Ni/Au薄膜 欧姆接触 比接触电阻率 环形传输线法 发光二极管(LED) 
氮化镓基PIN紫外探测器芯片研究被引量:2
《电子测试》2019年第11期63-64,共2页李建婷 孟锡俊 
通过对氮化镓基PIN紫外探测器不同外延结构及芯片制备工艺的研究,发现探测器性能和外延层结晶质量及芯片制备工艺有很大的关系。采用ITO扩展电极制备的探测器反向漏电很大,暗电流高,采用Ni/Au半透明电极制备的探测器芯片,光电流相对ITO...
关键词:探测器 紫外 NI/AU ITO 
Ni/Au/n-GaN肖特基二极管可导位错的电学模型被引量:3
《物理学报》2018年第17期241-246,共6页王翔 陈雷雷 曹艳荣 羊群思 朱培敏 杨国锋 王福学 闫大为 顾晓峰 
国家自然科学基金(批准号:61504050;11604124;51607022)资助的课题~~
可导线性位错被普遍认为是GaN基器件泄漏电流的主要输运通道,但其精细的电学模型目前仍不清楚.鉴于此,本文基于对GaN肖特基二极管的电流输运机制分析提出可导位错的物理模型,重点强调:1)位于位错中心的深能级受主态(主要Ga空位)电离后...
关键词:可导位错 GaN肖特基二极管 浅能级施主态 泄漏电流 
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