刘雪冬

作品数：3被引量：10H指数：2
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供职机构：南京大学更多>>
发文主题：MOCVD生长氧化锌离化载气H更多>>
发文领域：理学更多>>
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所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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N掺杂ZnO薄膜的接触特性被引量：1
《发光学报》2008年第3期503-507,共5页单正平 顾书林 朱顺明 刘伟 刘少波 刘雪冬 汤琨 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究规划(2006CB921803);中国高科技发展研究项目(2007AA03Z404);国家自然科学基金(60776013;60576017;50532100)资助项目
氧化锌(ZnO)是一种直接带隙半导体材料,室温下带隙为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO因其优越的光电特性在高亮度蓝紫光发光器件、紫外探测器件和短波长激子型激光器等方面具有广阔的应用前景。而要实现大功率的光电器件,稳定可靠的欧姆...
关键词：N掺杂ZnO NI/AU 快速退火 欧姆接触 
纳米ZnO生长及性质分析被引量：3
《发光学报》2008年第3期527-531,共5页刘少波 顾书林 刘伟 张丹羽 刘雪冬 朱顺明 丁维平 张荣 郑有炓 
南京大学科研基金资助项目(2006CL03)
利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在表面含有ZnO颗粒作为催化剂的Si(111)衬底上制备了ZnO纳米柱阵列。采用X射线衍射(XRD)、喇曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱分析了样品的晶体结构质量、表面性质和光...
关键词：ZnO纳米柱 气-液-固/气-固生长机制 低压金属有机化学气相沉积法 
MOCVD生长中载气H_2对N掺杂ZnO性质的影响被引量：7
《发光学报》2008年第3期441-446,共6页刘雪冬 顾书林 李峰 朱顺明 刘伟 叶建东 单正平 刘少波 汤琨 朱光耀 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究规划(G001CB3095);国家自然科学基金(60276011;60390073);国家"863"计划(2002AA311060)资助项目
采用MOCVD方法在石英衬底上生长ZnO。实验使用二乙基锌(DEZn)为锌源,N2O作为氧和氮源,H2作为载气。采用PL和Raman光谱方法对ZnO样品进行表征,结果表明H2的加入大幅度减少薄膜中碳的掺入,明显改善了薄膜的光学质量。采用N2O离化技术,可...
关键词：氧化锌 载气 金属有机源化学气相沉积 离化 
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