ECR-CVD法制备BN薄膜  

作　　者：张生俊[1] 崔贲涛[1] 王波[1] 严辉[1] 陈光华[1] 

机构地区：[1]北京工业大学材料学院,北京,100022 北京工业大学材料学院,北京,100022 北京工业大学材料学院,北京,100022 北京工业大学材料学院,北京,100022 北京工业大学材料学院,北京,100022

出　　处：《材料科学与工程学报》2000年第z2期633-636,共4页Journal of Materials Science and Engineering

基　　金：国家自然科学基金,北京市自然科学基金,北京市科技新星计划和北京市科技骨干培养基金资助项目

摘　　要：cBN薄膜的CVD制备是一个很受关注的课题.本文研究了ECR-CVD系统的等离子体特性,并在Si(100)衬底上进行了BN薄膜的生长实验,初步获得了cBN含量约为23.8%的BN薄膜;分析了H2在CVD生长cBN中的影响.

关 键 词：电子回旋共振 CBN 薄膜 

分 类 号：TB3[一般工业技术—材料科学与工程]