检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:殷伯华[1] 方光荣[1] 刘俊标[1] 靳鹏云[1] 薛虹[1] 吕士龙[2]
机构地区:[1]中国科学院电工研究所,北京100190 [2]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050
出 处:《纳米技术与精密工程》2010年第4期290-294,共5页Nanotechnology and Precision Engineering
基 金:国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB932501)
摘 要:为了满足科学实验过程中对制作半导体器件和微纳米结构的需要,同时避免受到昂贵的工业级电子束曝光(electron beam lithography,EBL)机的条件制约,构建了一种基于普通扫描电子显微镜(scanning electron microsco-py,SEM)的桌面级小型电子束曝光系统.建立了以浮点DSP为控制核心的高速图形发生器硬件系统.利用线性计算方法实现了电子束曝光场的增益、旋转和位移的校正算法.在本曝光系统中应用了新型压电陶瓷电机驱动的精密位移台来实现纳米级定位.利用此位移台所具有的纳米定位能力,采用标记追逐法实现了电子束曝光场尺寸和形状的校准.电子束曝光实验结果表明,场拼接及套刻精度误差小于100 nm.为了测试曝光分辨率,在PMMA抗蚀剂上完成了宽度为30 nm的密集线条曝光实验.利用此系统,在负胶SU8和双层PMMA胶表面进行了曝光实验;并通过电子束拼接和套刻工艺实现了氮化物相变存储器微电极的电子束曝光工艺.To satisfy the requirement of fabricating semiconductor devices or micro/nano structure,and to avoid expensive cost of industrial electron beam lithography(EBL) machine,a desktop EBL system was developed based on a normal scanning electron microscopy(SEM) and fabrication techniques.The high speed pattern generator hardware system was set up with a floating-point digital signal processor(DSP) as the core controller.The EBL field calibration coefficients including gain,rotation and shift were calculated by li...
关 键 词:扫描电子显微镜(SEM) 电子束曝光(EBL) 图形发生器 纳米结构
分 类 号:TN305.7[电子电信—物理电子学]
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