导入闸极屏蔽结构令沟槽式MOSFET功耗锐减  

作　　者：飞兆半导体公司 

机构地区：[1]飞兆半导体公司

出　　处：《中国电子商情》2014年第5期17-19,共4页China Electronic Market

摘　　要：如何得到更高的系统效率和功率密度，是现代数据和电信电源系统的关键，因为一个小而高效率的电源系统，可以有效节省空间与能源费用。从拓扑结构的角度来看，变压器将交流电转换成直流电的同步整流，是许多应用中开关电源二次侧的主要模块架构，此能改善能源转换中的导通损耗和开关损耗。从元件的角度来看，功率金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)在过去十年有长足的进步，也因而衍生出新的拓扑结构和高功率密度电源。

关 键 词：MOSFET 反向恢复 体二极管 沟槽式 导通电阻 屏蔽结构 功耗 

分 类 号：TM2[一般工业技术—材料科学与工程] TU2[电气工程—电工理论与新技术]