Si中离子注入S杂质引起的深能级研究  

Investigation on Deep Energy Levels Formed by Sulphur Implantation into Silicon

作　　者：高利朋[1] 韩培德[1] 毛雪[1] 范玉杰[1] 胡少旭[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京100083

出　　处：《人工晶体学报》2012年第S1期372-375,共4页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：国家自然科学基金(60976046;60837001;61021003);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2012CB934200);中科院博士培养项目资助(Y072051002)

摘　　要：本文在n型硅中通过离子注入方法用500 keV的能量注入剂量为1×1014cm-2的过量S以引入杂质,并通过深能级瞬态谱方法(DLTS)对离子注入引入的深能级进行研究,得到多个S的深能级峰,计算了各深能级的位置和其俘获截面等参数。同时也发现,采用离子注入工艺在Si中引入了大量缺陷深能级。本文在n型硅中通过离子注入方法用500 keV的能量注入剂量为1×1014cm-2的过量S以引入杂质,并通过深能级瞬态谱方法(DLTS)对离子注入引入的深能级进行研究,得到多个S的深能级峰,计算了各深能级的位置和其俘获截面等参数。同时也发现,采用离子注入工艺在Si中引入了大量缺陷深能级。

关 键 词：深能级 离子注入 深能级瞬态谱 

分 类 号：O7[理学—晶体学]