SiGe衬底离子注入模拟研究  

Simulation on Ion Implantation into SiGe Substrate

作　　者：李强 乔颖[1] 杨杰[1] 于民[1] 王金延[1] 黄如[1] 张兴[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究院,北京100871

出　　处：《半导体技术》2008年第S1期273-275,279,共4页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学基金(60676022)

摘　　要：运用分子动力学的研究方法,通过对Si1-xGex衬底建立模型,开发出了针对于Ge和Si1-xGex衬底进行低能离子注入模拟的软件。在不同注入能量条件下,把模拟B离子注入到Ge以及Si1-xGex衬底的结果与SIMS数据进行对比,模型和模拟方法得到了验证。在此基础上,针对不同组分的Si1-xGex衬底进行了离子注入模拟,模拟了Ge组分的变化对于Si1-xGex衬底离子注入的影响。Using molecular dynamics method,the ion implantation simulation software aiming at Ge and Si1-xGex was developed by creating a new simulation structure for Si1-xGex substrate.Comparing the results of boron implantation into Ge and Si1-xGex with SIMS under different conditions,the model and method were verified.Moreover,the result and analysis of simulation into Si1-xGex with different content of Ge were presented.

关 键 词：锗硅 离子注入 分子动力学 模拟 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]