N离子注入方法对Ta扩散阻挡层性能的改进  

作　　者：姜蕾[1] 何国伟[1] 宗祥福[1] 

机构地区：[1]复旦大学材料科学系

出　　处：《中国集成电路》2002年第11期66-69,共4页China lntegrated Circuit

摘　　要：本文简单介绍了铜互连扩散阻挡层的种类、特点和发展,将离子注入方法与溅射方法相结合,改进了扩散阻挡层的制备工艺。溅射生长的100nm厚的Ta阻挡层在经过能量为40keV的N离子注入之后,其阻挡层性能有了显著的提高,在700℃的高温退火1小时的条件下,仍能阻挡铜的热扩散;而未经注入的Ta层则在600℃退火后,其阴档层性能就已失效。

关 键 词：扩散阻挡层 阻挡层材料 离子注入 制备工艺 高温退火 铜互连 注入方法 热扩散 性能 扩散系数 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]