Self-Aligned InGaP/GaAs Power HBTswith a Low Bias Voltage  

低偏置电压工作的自对准 InGaP/GaAs功率异质结双极晶体管(英文)

作　　者：郑丽萍[1] 孙海锋[1] 狄浩成[1] 樊宇伟[1] 王素琴[1] 刘新宇[1] 吴德馨[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第8期908-912,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划 (批准号 :2 0 0 2 CB3 1190 2 ) ;国家自然科学基金 (批准号 :60 14 60 0 1);中国科学院知识创新工程资助项目~~

摘　　要：A self aligned InGaP/GaAs power HBTs for L band power amplifier with low bias voltage are described.Base emitter metal self aligning,air bridge,and wafer thinning are used to improve microwave power performance.A power HBT with double size of emitter of (3μm×15μm)×12 is fabricated.When the packaged HBT operates in class AB at a collector bias of 3V,a maximum 23dBm output power with 45% power added efficiency is achieved at 2GHz.The results show that the InGaP/GaAs power HBTs have great potential in mobile communication systems operating at low bias voltage.介绍 L 波段、低偏置电压下工作的自对准 In Ga P/ Ga As功率异质结双极晶体管的研制 .在晶体管制作过程中采用了发射极 -基极金属自对准、空气桥以及减薄等工艺改善其功率特性 .功率测试结果显示 :当器件工作在 AB类 ,工作频率为 2 GHz,集电极偏置电压仅为 3V时 ,尺寸为 2× (3μm× 1 5 μm)× 1 2的功率管获得了最大输出功率为2 3d Bm,最大功率附加效率为 4 5 % ,线性增益为 1 0 d

关 键 词：self  aligned INGAP power HBTs low bias voltage 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]