郑丽萍

作品数：4被引量：4H指数：1
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：INGAP/GAASINGAP/GAAS_HBTGAAS自对准异质结双极晶体管更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
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高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT
《Journal of Semiconductors》2005年第1期92-95,共4页郑丽萍 袁志鹏 樊宇伟 孙海锋 狄浩成 王素琴 刘新宇 吴德馨 
国家重点基础研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2CB3 1190 2 );国家自然科学基金 (批准号 :60 14 60 0 1);科学院知识创新工程重要方向资助项目~~
采用发射极 基极金属自对准工艺 ,成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT .发射极尺寸为 (3μm× 15 μm)× 16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为 5 5GHz和 35GHz .在片load pull测试表明 :当工作频率为 1GHz时 ,器件工作在AB类 ,该...
关键词：功率附加效率 INGAP/GAAS 功率HBT 
Self-Aligned InGaP/GaAs Power HBTswith a Low Bias Voltage
《Journal of Semiconductors》2004年第8期908-912,共5页郑丽萍 孙海锋 狄浩成 樊宇伟 王素琴 刘新宇 吴德馨 
国家重点基础研究发展规划 (批准号 :2 0 0 2 CB3 1190 2 ) ;国家自然科学基金 (批准号 :60 14 60 0 1);中国科学院知识创新工程资助项目~~
A self aligned InGaP/GaAs power HBTs for L band power amplifier with low bias voltage are described.Base emitter metal self aligning,air bridge,and wafer thinning are used to improve microwave power performance.A...
关键词：self  aligned INGAP power HBTs low bias voltage 
钝化边的制作及其对不同尺寸自对准InGaP/GaAs HBT性能的影响被引量：4
《Journal of Semiconductors》2004年第3期312-315,共4页郑丽萍 刘新宇 袁志鹏 孙海锋 和致经 吴德馨 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 14 60 0 1)~~
采用全耗尽的 In Ga P材料在基区 Ga As表面形成钝化边 (passivation ledge)的方法 ,研制出了带钝化边的自对准 In Ga P/Ga As异质结双极晶体管 (HBT) .通过对不同尺寸、有无钝化边器件性能的比较得出 :钝化边对提高小尺寸器件的直流增...
关键词：钝化边 直流增益 异质结双极晶体管 
低开启电压的InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管
《Journal of Semiconductors》2003年第3期318-321,共4页郑丽萍 严北平 孙海锋 刘新宇 和致经 吴德馨 
采用窄禁带宽度材料GaAsSb作为异质结晶体管的基区材料 ,成功研制出了能有效降低电路工作电压和功率损耗的低开启电压的NPNInGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管 (doubleheterojunctionbipolartransistor,DHBT) .器件性能如下 :BE结的正向...
关键词：开启电压 GAASSB 双异质结晶体管 DHBT 
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