高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT  

High Power-Added-Efficiency InGaP/GaAs Power HBT

作　　者：郑丽萍[1] 袁志鹏[1] 樊宇伟[1] 孙海锋[1] 狄浩成[1] 王素琴[1] 刘新宇[1] 吴德馨[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子学研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第1期92-95,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2CB3 1190 2 );国家自然科学基金 (批准号 :60 14 60 0 1);科学院知识创新工程重要方向资助项目~~

摘　　要：采用发射极 基极金属自对准工艺 ,成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT .发射极尺寸为 (3μm× 15 μm)× 16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为 5 5GHz和 35GHz .在片load pull测试表明 :当工作频率为 1GHz时 ,器件工作在AB类 ,该功率管最大输出功率为 2 3 5dBm ,最大功率附加效率达 6 0 % ,P1dB的输出功率为 2 1dBm ,对应增益为 16dB ,工作电压为 3 5V .A power HBT with emitter size of (3μm×15μm)×16 is fabricated using base-emitter metal self-aligning process.The f t and f max of the power HBT are 55 and 35GHz,respectively.When the power HBT operates in class AB at a collector bias of 3.5V,a maximum 23.5dBm output power with 60% peak power-added-efficiency and 21dBm compress output power with 16dB power gain are achieved.

关 键 词：功率附加效率 INGAP/GAAS 功率HBT 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]