狄浩成

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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：INGAP/GAASLOWINGAPALIGNEDSW更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
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高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT
《Journal of Semiconductors》2005年第1期92-95,共4页郑丽萍 袁志鹏 樊宇伟 孙海锋 狄浩成 王素琴 刘新宇 吴德馨 
国家重点基础研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2CB3 1190 2 );国家自然科学基金 (批准号 :60 14 60 0 1);科学院知识创新工程重要方向资助项目~~
采用发射极 基极金属自对准工艺 ,成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT .发射极尺寸为 (3μm× 15 μm)× 16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为 5 5GHz和 35GHz .在片load pull测试表明 :当工作频率为 1GHz时 ,器件工作在AB类 ,该...
关键词：功率附加效率 INGAP/GAAS 功率HBT 
Self-Aligned InGaP/GaAs Power HBTswith a Low Bias Voltage
《Journal of Semiconductors》2004年第8期908-912,共5页郑丽萍 孙海锋 狄浩成 樊宇伟 王素琴 刘新宇 吴德馨 
国家重点基础研究发展规划 (批准号 :2 0 0 2 CB3 1190 2 ) ;国家自然科学基金 (批准号 :60 14 60 0 1);中国科学院知识创新工程资助项目~~
A self aligned InGaP/GaAs power HBTs for L band power amplifier with low bias voltage are described.Base emitter metal self aligning,air bridge,and wafer thinning are used to improve microwave power performance.A...
关键词：self  aligned INGAP power HBTs low bias voltage 
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