PEM用于半导体器件失效缺陷检测和分析  

PEM in failure detect and analysis

作　　者：唐凌[1] 瞿欣[1] 方培源[1] 杨兴[1] 王家楫[1] 

机构地区：[1]复旦大学国家微分析中心,上海200433

出　　处：《半导体技术》2004年第7期43-47,共5页Semiconductor Technology

摘　　要：光发射显微镜(PEM)是90年代发展起来的一种高灵敏度、高分辨率的新型缺陷定位分析技术。随着半导体器件线宽的不断下降,光发射显微镜已广泛使用于IC和分立器件中漏电、击穿、热载流子等失效点的定位和失效机理的分析。本文介绍了光发射显微镜及在半导体器件进行失效分析的机理和实际应用。Photo Emission Microscope (PEM) is a high resolution technology developed in 90’s.since the linewidth of integrated circuit (IC) is continuously decreasing,PEM becomes more andmore important in device failure detection and analysis. This paper gives an overview of PEM tech-nology and its applications in microanalysis of failure devices.

关 键 词：PEM 光发射显微镜 半导体器件 失效缺陷检测 

分 类 号：TN406[电子电信—微电子学与固体电子学]