适用于万兆以太网10GBASE-X的全集成单片CMOS压控振荡器  

Fully Integrated Single Chip CMOS VCO for IEEE802.3ae Type 10 GBASE-X

作　　者：孟凡生[1] 朱恩[1] 孙玲[1] 程树东[1] 王志功[1] 

机构地区：[1]东南大学射频与光电集成电路研究所,南京210096

出　　处：《电子器件》2004年第2期224-227,共4页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：国家 8 6 3计划资助项目 (2 0 0 1AA12 10 74 ) .

摘　　要：给出了一个适用于万兆以太网IEEE80 2 3ae 10GBASE -X的高线性度全集成单片环形压控振荡器电路。该压控振荡器采用TSMC 0 18μmCMOS混合信号工艺设计制造 ,由四级差分延时单元和输出驱动电路组成 ,芯片总面积为 0 3× 0 4mm2 。芯片采用 1 8V单电源供电 ,测得带直接耦合差分 5 0Ω负载时的总功耗为 78mW ,单端输出功率为 10 2dBm ,振荡频率在 2 8～ 4 0GHz有非常好的压控线性度 ,在振荡器中心频率为 3 12 5GHz时的单边带相位噪声为 - 96dBc/Hz@10MHz。A fully integrated ring type voltage-controlled oscillator (VCO) for IEEE802.3ae type 10GBASE-X has been realized and characterized. It was designed and fabricated in TSMC 0.18 μm mixed signal CMOS technology. The total chip size is 0.3×0.4 mm^2. At a supply voltage of 1.8 V, the measured power consumption is 78 mW with DC-coupled differential 50 Ω loads. The linear voltage-controlled frequency area is 2.8～4.0 GHz and the phase noise of single sideband is about-96 dBc/Hz at 10 MHz offset from the center frequency of 3.125 GHz.

关 键 词：压控振荡器 万兆以太网 模拟电路 互补金属氧化物半导体工艺 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学] TN75