程树东

作品数：7被引量：8H指数：1
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供职机构：东南大学能源与环境学院射频与光电集成电路研究所更多>>
发文主题：压控振荡器芯片设计万兆以太网数据判决CMOS工艺更多>>
发文领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《电子器件》《南京师范大学学报（工程技术版）》《中国有色金属学报》《东南大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划更多>>
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2.5～40Gb/s光收发关键器件芯片技术被引量：4
《中国有色金属学报》2004年第F01期369-380,共12页朱恩 王志功 冯军 黄颋 王欢 陈海涛 孟凡生 杨守军 吴春红 仇应华 沈桢 郁伟嘉 王雪艳 程树东 孙玲 费瑞霞 王峻峰 刘欢艳 陈明洁 
介绍了2.5～40Gb/s的光通信收发器处理芯片的研究情况,芯片功能包括复接器、激光驱动器、前置放大器与限幅放大器、时钟恢复和数据判决电路以及分接器。采用的工艺有0.18/0.25μmCMOS,0.15/0.2μmGaAsPHEMT和2μmGaAsHBT等,采用多项目...
关键词：光纤通信 SDH 超高速集成电路 收发器 CMOS GaAs PHEMT HBT SCFL VCO 
0.18-μm CMOS千兆以太网并串转换芯片设计被引量：1
《东南大学学报（自然科学版）》2004年第3期293-296,共4页郁炜嘉 朱恩 程树东 孙玲 费瑞霞 沈桢 孟凡生 吴春红 王雪艳 王志功 
国家高技术研究发展计划 (863计划 )资助项目(2 0 0 1AA12 10 74)
提出了一种新的树型结构 1 0∶1并串转换电路 ,可应用于千兆以太网 ,其工作速度达到 1 2 5Gbit/s.树型结构的使用可以使大部分电路工作在较低的速率上 ,从而简化了设计 ,也减小了功耗 .低速 5∶1并串转换单元采用改进的并行结构 ,利用...
关键词：千兆以太网 并串转换 CMOS 
适用于万兆以太网10GBASE-X的全集成单片CMOS压控振荡器
《电子器件》2004年第2期224-227,共4页孟凡生 朱恩 孙玲 程树东 王志功 
国家 8 6 3计划资助项目 (2 0 0 1AA12 10 74 ) .
给出了一个适用于万兆以太网IEEE80 2 3ae 10GBASE -X的高线性度全集成单片环形压控振荡器电路。该压控振荡器采用TSMC 0 18μmCMOS混合信号工艺设计制造 ,由四级差分延时单元和输出驱动电路组成 ,芯片总面积为 0 3× 0 4mm2 。芯...
关键词：压控振荡器 万兆以太网 模拟电路 互补金属氧化物半导体工艺 
基于PHEMT工艺的5GHz锁相环芯片被引量：1
《东南大学学报（自然科学版）》2004年第2期157-160,共4页程树东 郁炜嘉 朱恩 王雪艳 沈祯 王志功 
国家 8 63计划资助项目 ( 2 0 0 1AA3 12 0 60 )
给出了基于 0 2 μm砷化镓赝晶高电子迁移率器件工艺设计的高速锁相环芯片的电路结构、性能分析与测试结果 .芯片采用吉尔伯特结构的鉴相器和交叉耦合负阻差分环形压控振荡器 ,总面积为 1 1 5mm× 0 75mm .锁定时中心工作频率为 4 44...
关键词：锁相环 鉴相器 压控振荡器 砷化镓赝晶高电子迁移率器件工艺 
具有90°可调移相的万兆以太网数据判决芯片设计被引量：1
《南京师范大学学报（工程技术版）》2003年第4期71-74,共4页程树东 朱恩 孟凡生 孙玲 吴春红 费瑞霞 王志功 
国家"八六三"计划项目 (2 0 0 1AA12 10 74)资助
介绍了用法国OMMIC公司 0 2 μmGaAsPHEMT工艺设计的具有 90°可调移相的万兆以太网数据判决芯片的模块及单元电路的结构 ,给出了仿真结果及版图 ,最后给出分析和结论 .该芯片的判决电路采用SCFL (源级耦合晶体管逻辑 )的D触发器结构 ...
关键词：万兆以太网 数据判决 源级耦合晶体管逻辑 触发器 移相器 物理媒介配属层 
基于0.18μm CMOS工艺的千兆以太网数据判决电路芯片
《电子器件》2003年第4期424-427,共4页程树东 朱恩 郁炜嘉 沈祯 孟凡生 孙玲 王志功 
国家863计划资助项目(2001AA1217074)
介绍了用TSMC0 18umCMOS工艺设计的千兆以太网数据判决芯片的模块及单元电路的结构,给出版图,后仿真及测试结果。该芯片采用CMOS互补逻辑的D触发器结构,功耗小于25mW,最高工作速率大于3 125Gbps,可直接用于千兆以太网物理媒介配属层的...
关键词：千兆以太网 数据判决 CMOS互补逻辑 触发器 物理媒介配属层 
基于0.18μm CMOS工艺的6 GHz环形压控振荡器设计被引量：1
《电子器件》2003年第4期438-440,437,共4页吴春红 朱恩 王雪艳 郁炜嘉 程树东 王志功 
基于0 18μmCMOS工艺设计的全差分环形压控振荡器电路,芯片总面积为0 65×0 79mm2,1 8V电源供电,总功耗155mW,中心频率6GHz,调谐范围1GHz。可应用于IEEE802 11aWLAN系统。
关键词：射频集成电路 压控振荡器 CMOS工艺 
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