孟凡生

作品数：8被引量：10H指数：2
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供职机构：东南大学能源与环境学院射频与光电集成电路研究所更多>>
发文主题：压控振荡器千兆以太网万兆以太网锁相环GAAS更多>>
发文领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《电子器件》《南京师范大学学报（工程技术版）》《中国有色金属学报》《东南大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划更多>>
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2.5～40Gb/s光收发关键器件芯片技术被引量：4
《中国有色金属学报》2004年第F01期369-380,共12页朱恩 王志功 冯军 黄颋 王欢 陈海涛 孟凡生 杨守军 吴春红 仇应华 沈桢 郁伟嘉 王雪艳 程树东 孙玲 费瑞霞 王峻峰 刘欢艳 陈明洁 
介绍了2.5～40Gb/s的光通信收发器处理芯片的研究情况,芯片功能包括复接器、激光驱动器、前置放大器与限幅放大器、时钟恢复和数据判决电路以及分接器。采用的工艺有0.18/0.25μmCMOS,0.15/0.2μmGaAsPHEMT和2μmGaAsHBT等,采用多项目...
关键词：光纤通信 SDH 超高速集成电路 收发器 CMOS GaAs PHEMT HBT SCFL VCO 
0.18-μm CMOS千兆以太网并串转换芯片设计被引量：1
《东南大学学报（自然科学版）》2004年第3期293-296,共4页郁炜嘉 朱恩 程树东 孙玲 费瑞霞 沈桢 孟凡生 吴春红 王雪艳 王志功 
国家高技术研究发展计划 (863计划 )资助项目(2 0 0 1AA12 10 74)
提出了一种新的树型结构 1 0∶1并串转换电路 ,可应用于千兆以太网 ,其工作速度达到 1 2 5Gbit/s.树型结构的使用可以使大部分电路工作在较低的速率上 ,从而简化了设计 ,也减小了功耗 .低速 5∶1并串转换单元采用改进的并行结构 ,利用...
关键词：千兆以太网 并串转换 CMOS 
适用于万兆以太网10GBASE-X的全集成单片CMOS压控振荡器
《电子器件》2004年第2期224-227,共4页孟凡生 朱恩 孙玲 程树东 王志功 
国家 8 6 3计划资助项目 (2 0 0 1AA12 10 74 ) .
给出了一个适用于万兆以太网IEEE80 2 3ae 10GBASE -X的高线性度全集成单片环形压控振荡器电路。该压控振荡器采用TSMC 0 18μmCMOS混合信号工艺设计制造 ,由四级差分延时单元和输出驱动电路组成 ,芯片总面积为 0 3× 0 4mm2 。芯...
关键词：压控振荡器 万兆以太网 模拟电路 互补金属氧化物半导体工艺 
千兆以太网物理层时钟产生/倍频单片集成电路设计
《东南大学学报（自然科学版）》2004年第2期152-156,共5页孟凡生 朱恩 熊明珍 王志功 孙玲 
国家 8 63计划资助项目 ( 2 0 0 1AA12 10 74)
给出了一个基于TSMC 0 1 8μmCMOS工艺设计的千兆以太网物理层时钟产生 /倍频单片集成电路 .芯片采用电荷泵结构的锁相环实现 ,包括环形压控振荡器、分频器、鉴频鉴相器、电荷泵和环路滤波器等模块 ,总面积为 1 1mm× 0 8mm .采用 1 ...
关键词：时钟产生/倍频 千兆以太网 锁相环 电荷泵 压控振荡器 分频器 
万兆以太网物理层全集成单片锁相环电路被引量：1
《光电子技术》2004年第1期32-35,50,共5页孟凡生 朱恩 孙玲 费瑞霞 吴春红 王志功 
国家 8 63计划资助项目 ( No.2 0 0 1 AA1 2 1 0 74)
给出了一个采用 0 .2μm Ga As PHEMT工艺实现的单片集成高速锁相环电路。芯片采用差分电感电容谐振式负跨导压控振荡器 ,总面积为 0 .9mm× 0 .7mm。采用 3.3V单电源供电 ,测得芯片总功耗为 2 83m W,输出功率约 - 1 1 d Bm,中心频率 7....
关键词：万兆以太网 物理层 锁相环 GAAS PHEMT工艺 
具有90°可调移相的万兆以太网数据判决芯片设计被引量：1
《南京师范大学学报（工程技术版）》2003年第4期71-74,共4页程树东 朱恩 孟凡生 孙玲 吴春红 费瑞霞 王志功 
国家"八六三"计划项目 (2 0 0 1AA12 10 74)资助
介绍了用法国OMMIC公司 0 2 μmGaAsPHEMT工艺设计的具有 90°可调移相的万兆以太网数据判决芯片的模块及单元电路的结构 ,给出了仿真结果及版图 ,最后给出分析和结论 .该芯片的判决电路采用SCFL (源级耦合晶体管逻辑 )的D触发器结构 ...
关键词：万兆以太网 数据判决 源级耦合晶体管逻辑 触发器 移相器 物理媒介配属层 
基于0.2μm GaAs PHEMT工艺的压控振荡器IC设计被引量：3
《电子器件》2003年第4期341-343,340,共4页孙玲 朱恩 孟凡生 吴春红 费瑞霞 
国家863计划资助项目(2001AA121074)
给出了一个采用0 2μmGaAsPHEMT工艺设计的全集成差分负阻式LC压控振荡器电路,芯片面积为0 52×0 7mm2。采用3 3V正电源供电,测得输出功率约-11 22dBm,频率调节范围6 058GHz～9 347GHz;在自由振荡频率7 2GHz处,测得的单边带相位噪声约为...
关键词：压控振荡器 锁相环 GAAS PHEMT工艺 
基于0.18μm CMOS工艺的千兆以太网数据判决电路芯片
《电子器件》2003年第4期424-427,共4页程树东 朱恩 郁炜嘉 沈祯 孟凡生 孙玲 王志功 
国家863计划资助项目(2001AA1217074)
介绍了用TSMC0 18umCMOS工艺设计的千兆以太网数据判决芯片的模块及单元电路的结构,给出版图,后仿真及测试结果。该芯片采用CMOS互补逻辑的D触发器结构,功耗小于25mW,最高工作速率大于3 125Gbps,可直接用于千兆以太网物理媒介配属层的...
关键词：千兆以太网 数据判决 CMOS互补逻辑 触发器 物理媒介配属层 
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