一种压阻式高g值加速度传感器  

A Piezoresistive Accelerometers with High-g Value

作　　者：陈德英[1] 茅盘松[1] 张旭[1] 王强[1] 

机构地区：[1]东南大学MEMS重点实验室,南京210096

出　　处：《固体电子学研究与进展》2004年第3期318-321,349,共5页Research & Progress of SSE

摘　　要：讨论了硅的压阻效应 ,利用简化的力学模型设计了高 g值压阻加速度传感器的结构参数、工艺流程和版图 ,并制备出样品 ,测试结果表明本传感器加速度可大于 80 0 0 g。This paper discusses piezoresistive effect of silicon, with simplified mechanical models. The structural parameters of the piezoresistive accelerometer for high-g value are designed. The process flow and layout are given, and the acceleration of prepared sample is above 8 000g.

关 键 词：压阻效应 高G值 加速度传藤器 SOI衬底 硅胶灌注 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]