王强

作品数：1被引量：4H指数：1
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供职机构：东南大学电子科学与工程学院微电子机械系统教育部重点实验室更多>>
发文主题：SOI衬底压阻效应压阻式高G值更多>>
发文领域：自动化与计算机技术更多>>
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一种压阻式高g值加速度传感器被引量：4
《固体电子学研究与进展》2004年第3期318-321,349,共5页陈德英 茅盘松 张旭 王强 
讨论了硅的压阻效应 ,利用简化的力学模型设计了高 g值压阻加速度传感器的结构参数、工艺流程和版图 ,并制备出样品 ,测试结果表明本传感器加速度可大于 80 0 0 g。
关键词：压阻效应 高G值 加速度传藤器 SOI衬底 硅胶灌注 
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