Si/Si直接键合界面性质的研究  

Interface of Si/Si Directly Wafer Bonding

作　　者：陈松岩[1] 谢生[1] 何国荣[2] 

机构地区：[1]厦门大学物理系,厦门361005 [2]中科院半导体所,北京100083

出　　处：《固体电子学研究与进展》2004年第3期390-395,共6页Research & Progress of SSE

基　　金：国家基金 (项目编号 :6 0 0 0 6 0 0 4);国家重点基金 (项目编号 :6 0 336 0 1 0 )项目支持

摘　　要：通过三步直接键合方法实现了 Si/ Si键合。采用 XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对 Si/ Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究。研究结果表明 ,高温退火后 ,在键合界面没有 Si-H和 Si-OH网络存在 ,键合界面主要由单质 Si和不定形氧化硅 Si Ox 组成。同时 ,研究还表明 ,I-V特性和键合强度强烈地依赖于退火温度。The Si/Si bonding has been achieved by three-step direct wafer bonding technology. Interfacial characteristic has been widely investigated by the X-ray photoelectron spectronscopy (XPS), Fourier transform infrared spectrum (FTIR),I-V and tensile strength. The results show that there are no infrared absorbtion peak related to the Si-H bonding and Si-OH bonding in the interface at high temperature, and the interface is made up of Si and SiO_x. In addition, the researches indicate that both I-V characteristic and bonding energy strongly depend on annealing temperature

关 键 词：硅直接键合 界面性质 红外透射谱 X-射线光电子谱 伏安特性 键合强度 键合机理 

分 类 号：TN305.96[电子电信—物理电子学]