GaN基半导体材料研究进展  

Research Progress of the GaN-based Semiconductor Materials

作　　者：郎佳红[1] 顾彪[1] 徐茵[1] 秦福文[1] 

机构地区：[1]大连理工大学三束材料改性国家重点实验室

出　　处：《激光与光电子学进展》2003年第3期45-49,共5页Laser & Optoelectronics Progress

基　　金：国家自然科学基金(69976008)

摘　　要：简单回顾半导体短波长激光器的发展过程,总结了GaN基激光二极管的发展以及GaN薄膜的几点技术进展。The development course of short wavelength semiconductor lasers are briefly reviewed, and a few technological progresses for GaN-based semiconductor lasers are described.

关 键 词：半导体激光器 激光二极管 GAN薄膜 半导体材料 外延生长 P型掺杂 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学] TN304