用于离子束辅助镀膜的两种模式端部霍尔离子源的比较  

Comparative analysis of two patterns of end-Hall ion sources for ion beam-assisted deposition

作　　者：潘永强[1] 朱昌[1] 方勇[1] 斯瓦德科夫斯基 达斯坦科 

机构地区：[1]西安工业学院光电工程学院,陕西西安710032 [2]白俄罗斯无线电信息大学

出　　处：《真空》2004年第5期38-41,共4页Vacuum

摘　　要：介绍了一种用于离子束辅助沉积光学薄膜的端部霍尔离子源的工作原理,并论述了端部霍尔离子源的离子能量、离子分布特性的测试方法;详细论述了电磁场和永久磁场两种模式下,端部霍尔离子源的工作稳定性、离子能量大小以及离子束分布特性的比较。End-Hall ion source has been successfully developed for optical thin film coating by ion beam-assisted deposition (IBAD).　Its operating principle and methods to test ion beam characteristics are introduced. Two patterns of end-Hall ion source using electromagnet coil or permanent magnet are comparatively analysed for ion energy and distribution.

关 键 词：离子束辅助镀膜 端部霍尔离子源 电磁场 永久磁场 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理] TB43[理学—物理]