Ni诱导非晶SiGe薄膜结晶  

Ni Induced Crystallization of Amorphous SiGe

作　　者：段鹏[1] 屈新萍[1] 刘萍[1] 徐展宏[1] 茹国平[1] 李炳宗[1] 

机构地区：[1]复旦大学微电子学系ASIC与系统国家重点实验室,上海200433

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第11期1453-1457,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :60 2 0 60 0 2 );复旦大学青年基金;教育部留学回国人员启动基金资助项目~~

摘　　要：采用 Ni诱导结晶的方法在氧化硅衬底上制备多晶 Si Ge薄膜 .通过 X射线衍射 (XRD)、俄歇电子深度分布谱(AES)等测试方法对获得的多晶 Si Ge薄膜特性进行了表征 ,并对退火气氛中氧的存在对非晶 Si Ge结晶的影响进行了研究 .研究表明 Ni的参与可以显著降低非晶 Si Ge薄膜的结晶时间以及结晶温度 ;退火气氛中氧的存在对非晶 Si Ge结晶有明显阻碍作用 ;采用先在高纯 N2 (99.99% )气氛下快速热退火 (RTA)预处理 ,再在普通退火炉中长时间退火的方法可以明显改善非晶 SiPolycrystalline SiGe layers are obtained by Ni induced crystallization of the amorphous ones.The films are characterized by XRD and Auger electron depth profile.The influences of the process parameters (such as annealing duration,thickness of Ni layer) and the existence of O in the annealing ambient on Ni induced crystallization of a-SiGe are discussed.The experimental results show that the Ni inducing crystallization can significantly reduce the temperature of crystallization and time of amorphous SiGe.The existence of O in the annealing ambient thwarts the crystallization of the films.By annealing the samples using RTA first,then by normal furnace annealing,the crystallinity of the samples is improved.

关 键 词：金属诱导结晶 非晶SiGe薄膜 固相结晶 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]