聚焦离子束诱发金属有机化学气相淀积碳-铂薄膜  

Focused Ion Beam Induced Metalorganic Chemical Vapor Deposition of C-Pt Thin Film

作　　者：江素华[1] 唐凌[1] 王家楫[1] 

机构地区：[1]复旦大学材料科学系,上海200433

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第11期1458-1463,共6页半导体学报（英文版）

摘　　要：通过一系列实验 ,对聚焦离子束诱发 MOCVD的成膜机理进行了研究 ,给出了淀积速率同离子束流等参数之间关系的理论模型 .发现随着离子束流的增大 ,薄膜淀积速率增大 ,但并非完全线性增加 ,薄膜中的 C/ Pt比例也随之变化 ,薄膜电阻率则随之降低 ,最后趋向恒定 .C-Pt film is prepared by focused ion beam induced MOCVD.A theoretical model is presented to describe the relationship between deposition rate and processing parameters.From the experiment,the deposition rate increases and the resistivity of thin film decreases with the rising of ion beam current.The varying composition of C-Pt film and the mechanism of experimental result are also discussed.

关 键 词：聚焦离子束 金属有机化学气相淀积 薄膜 铂 碳 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]