渗硅时间对渗层厚度的影响  

Effect of siliconized time on the thikness of the siliconized layer

作　　者：马晓霞[1] 席光兰[1] 梁伟[1] 赵兴国[1] 

机构地区：[1]太原理工大学材料科学与工程学院,山西太原030034

出　　处：《电子显微学报》2003年第6期522-523,共2页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

关 键 词：渗硅时间 渗层厚度 TIAL基合金 应用前景 抗氧化性 室温塑性 表面处理 扫描电镜 复合渗层 

分 类 号：TG174.4[金属学及工艺—金属表面处理]