下一代半导体工艺曝光用极紫外光源  

出　　处：《光机电信息》2004年第11期35-35,共1页OME Information

摘　　要：日本技术研究组合极紫外曝光系统技术开发机构成功地研制出下一代半导体曝光装置用极紫外(EUV)光源，其发光点输出达到4W，是目前世界上最高的发光点输出。所开发的光源因是一种激光激励而产生EUV等离子体的光源，利用YAG激光器将Xe等离子化。

关 键 词：EUV 半导体工艺 极紫外 光点 YAG激光器 光源 曝光装置 曝光系统 发光 输出 

分 类 号：TH744[机械工程—光学工程] TN362[机械工程—仪器科学与技术]