VLSI三维电容的多极提取新方法  

作　　者：Zhao-ZhiYang Ze-YiWang 

机构地区：[1]DepartmentofComputerScienceandTechnology,TsinghuaUniversity,Beijing100084,P.R.China

出　　处：《Journal of Computer Science & Technology》2004年第C00期62-62,共1页计算机科学技术学报（英文版）

摘　　要：随着超大规模集成电路(Very Large Scale Integrated circuits，VLSI)的高速发展和深亚微米工艺及多层布线技术的广泛应用，器件的密度急剧增长、工作频率不断增加，使互连寄生效应成为制约电路延迟、功耗以及可靠性等重要性能的瓶颈之一。快速、精确地提取三维互连寄生电容已成为高性能集成电路设计中的一个关键环节，也是VLSI设计自动化领域一个热点课题。近十年来，间接边界元多极加速电容提取算法取得了重要的进展，但离实现全路径全芯片电容提取的目标还有很长距离。

关 键 词：VLSI 互连 多层布线 超大规模集成电路 寄生效应 寄生电容 深亚微米工艺 工作频率 提取算法 三维 

分 类 号：TP393[自动化与计算机技术—计算机应用技术] TN47[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]