MOCVD在位监测技术及其在VCSEL研制中的应用  

In-situ Control for MOCVD and Its Application in VCSEL Fabrication

作　　者：俞波[1] 邓军[1] 韩军[1] 盖红星[1] 牛南辉[1] 形艳辉[1] 廉鹏[1] 郭霞[1] 渠宏伟[1] 沈光地[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京100022

出　　处：《固体电子学研究与进展》2004年第4期535-538,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60276033);国家"863"高技术计划资助项目(批准号:2002AA312070);国家"973"计划资助项目(批准号:G2000068302);北京工业大学研究生科技基金项目(批准号:YKJ200338)

摘　　要：使用MOCVD技术生长了 980nmVCSEL ,在GaAs/AlGaAsDBR对的生长过程中通过相干反射率测量方法实现了在位监测和实时校正生长。白光反射谱测量结果表明通过上述手段准确控制了外延层的光学厚度。外延生长结束后 ,制备了 980nmVCSEL ,器件在室温下连续工作 ,输出功率为 7.1mW ,激射波长为 974nm ,斜率效率为 0 .4 6 2mW/mA。The 980 nm VCSEL was grown by MOCVD. In-situ monitor and real-time control were carried out through reflectance measurements during the GaAs/AlGaAs DBR growth. The reflectivity spectrum of the VCSEL showed that we had accurately controlled epitaxial film. After MOCVD growth, we also fabricated 980 nm VCSEL. Output light power of 7.1 mW, lasing wavelength of 974 nm and slope efficiency of 0.462 mW/mA were obtained under CW condition.

关 键 词：金属有机化合物汽相淀积 垂直腔面发射激光器 分布式Bragg反射 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]