牛南辉

作品数：23被引量：54H指数：4
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供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
发文主题：MOCVD氮化镓金属有机物化学气相淀积GAN发光二极管更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《光电子．激光》《固体电子学研究与进展》《功能材料》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
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GaN外延结构中微区应变场的测量和评价
《电子学报》2008年第11期2139-2143,共5页王俊忠 吉元 田彦宝 牛南辉 徐晨 韩军 郭霞 沈光地 
国家自然科学基金(No.69936020)
采用电子背散射衍射(EBSD)技术,测量GaN/蓝宝石结构中的弹性应变场.将EBSD菊池衍射花样的图像质量IQ值及小角度错配作为应力敏感参数,表征GaN-Buffer层-蓝宝石结构中的晶格畸变和转动,显示微区弹性应变场.在GaN/蓝宝石系统中,弹性应变...
关键词：电子背散射衍射(EBSD) 微区应力 GAN外延层 
等离子体处理对GaN发光二极管性能影响
《北京工业大学学报》2008年第7期682-687,共6页达小丽 沈光地 刘建平 牛南辉 朱彦旭 梁庭 邹德恕 郭霞 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2006CB604902);北京市人才强教计划资助项目(05002015200504)
为了研究等离子体处理对ICP刻蚀损伤的恢复效果,将多个样品放置于不同温度的等离子体增强化学气相沉积样品台上,通过改变射频源功率,分别使用N_2、N_2O和NH_3等离子体对GaN发光二极管进行处理.研究结果表明,在100℃、20W的射频功率条件...
关键词：光电子 半导体材料 发光二极管 
InGaN∶Mg薄膜的电学特性研究
《固体电子学研究与进展》2008年第1期4-7,共4页牛南辉 王怀兵 刘建平 邢燕辉 韩军 邓军 沈光地 
国家自然科学基金(批准号:60506012);北京市教委重点项目(批准号:KZ200510005003);北京工业大学科技基金项目(批准号:52002014200403)
利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响。结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升高。在相同的生长温度下,空穴浓度随掺Mg量的增加,先升高后降低。通过对这两个生长条件的优化,在760°C、C...
关键词：铟镓氮 镁掺杂 霍尔测试 X射线双晶衍射 原子力显微镜 金属有机物化学气相淀积 
p型氮化镓不同掺杂方法研究被引量：4
《功能材料》2007年第7期1123-1124,1131,共3页邢艳辉 韩军 邓军 刘建平 牛南辉 李彤 沈光地 
北京市自然科学基金资助项目(D0404003040221);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2004AA311030)
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,对p型GaN∶Mg的均匀掺杂,delta掺杂和生长停顿掺杂3种不同掺杂方法的外延片研究,通过对电学的、光学的、表面形貌分析表明,生长停顿方法的外延片有较好的晶体质量,但因生长停顿过程中引入额外杂...
关键词：p-氮化镓 Δ掺杂 原子力显微镜 金属有机物化学气相淀积 
InGaN/GaN MQW双波长LED的MOCVD生长被引量：2
《半导体光电》2007年第3期349-353,共5页沈光地 张念国 刘建平 牛南辉 李彤 邢艳辉 林巧明 郭霞 
国家"973"计划项目(2006CB604902);北京市属市管高等学校人才强教计划资助项目(05002015200504);北京工业大学博士启动基金资助项目(52002014200403)
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统生长了InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管(LED)。发现在20 mA正向注入电流下空穴很难输运过蓝光和绿光量子阱间的垒层,这是混合量子阱有源区获得双波长发光的主要障碍。通过掺入一定量的In来降...
关键词：InGaN量子阱 双波长LED MOCVD 
垒掺In提高InGaN/GaN多量子阱发光特性被引量：6
《物理学报》2007年第12期7295-7299,共5页邢艳辉 韩军 刘建平 邓军 牛南辉 沈光地 
北京市自然科学基金(批准号:D0404003040221)资助的课题.~~
利用金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上生长InGaN/GaN多量子阱结构.对多量子阱垒层掺In和非掺In进行了比较研究,结果表明,垒掺In的样品界面质量变差,但明显增加了光致发光谱的峰值强度和积分强度,带边峰与黄光峰强度之比增大,...
关键词：INGAN/GAN多量子阱 X射线双晶衍射 原子力显微镜 光致发光 
生长停顿改善MOCVD生长InGaN/GaN多量子阱的特性被引量：1
《光电子．激光》2007年第4期422-424,共3页牛南辉 王怀兵 刘建平 刘乃鑫 邢燕辉 韩军 邓军 沈光地 
国家自然科学基金资助项目(60506012);北京市教委重点资助项目(KZ200510005003);北京市人才强教计划资助项目(052002015200504)
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQWs)结构,研究了生长停顿对InGaN/GaN MQWs特性的影响。结果表明,采用生长停顿,可以改善MQWs界面质量,提高MQWs的光致发光(PL)与电致发光(EL)强度;但生长停顿的时间过长,阱...
关键词：InGaN/GaN多量子阱(MQW) 光致发光(PL) 电致发光(EL) X射线双晶衍射(DCXRD) 金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 
p型氮化镓退火及发光二极管研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2007年第2期186-189,共4页邢艳辉 韩军 刘建平 牛南辉 邓军 沈光地 
北京市自然科学基金(批准号:D0404003040221);国家863高技术研究发展计划(批准号:2004AA311030)
对金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长的p型氮化镓(p-GaN)在氮气气氛下的热退火进行研究。用Hall测试系统测量不同温度、不同时间退火后样品的电学性能;对一组蓝光LEDs分别进行不同退火温度、退火时间实验,对退火前...
关键词：氮化物 p-氮化镓 电学特性 发光二极管 
Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究被引量：6
《物理学报》2007年第2期1036-1040,共5页李彤 王怀兵 刘建平 牛南辉 张念国 邢艳辉 韩军 刘莹 高国 沈光地 
国家自然科学基金(批准号:60506012);北京市教委重点项目(批准号:KZ200510005003)资助的课题~~
采用Delta掺杂技术制备了p型氮化镓薄膜,并利用原子力显微镜、霍尔测试、X射线衍射、荧光光谱等测试手段对样品的形貌和电导性能进行了分析,发现Delta掺杂样品比均匀掺杂样品晶体质量和电导性能都有很大提高,说明Delta掺杂可有效抑制缺...
关键词：氮化镓 LEDS MOCVD Delta掺杂 
蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响被引量：1
《功能材料》2006年第12期1914-1916,共3页牛南辉 王怀兵 刘建平 刘乃鑫 邢艳辉 李彤 张念国 韩军 邓军 沈光地 
国家自然科学基金资助项目(60506012);北京市教委重点资助项目(KZ200510005003);北京市人才强教计划资助项目(052002015200504)
利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底（0～0．3°）上生长了非故意掺杂GaN薄膜，并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析。结果表明，采用具...
关键词：氮化镓 蓝宝石衬底 斜切角度 DCXRD MOCVD 
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