张念国

作品数：4被引量：9H指数：2
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供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
发文主题：MOCVD氮化镓GAN薄膜DELTA电性能研究更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《物理学报》《半导体光电》《功能材料》更多>>
所获基金：国家自然科学基金北京市教委重点项目北京市属高等学校人才强教计划资助项目国家重点基础研究发展计划更多>>
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InGaN/GaN MQW双波长LED的MOCVD生长被引量：2
《半导体光电》2007年第3期349-353,共5页沈光地 张念国 刘建平 牛南辉 李彤 邢艳辉 林巧明 郭霞 
国家"973"计划项目(2006CB604902);北京市属市管高等学校人才强教计划资助项目(05002015200504);北京工业大学博士启动基金资助项目(52002014200403)
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统生长了InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管(LED)。发现在20 mA正向注入电流下空穴很难输运过蓝光和绿光量子阱间的垒层,这是混合量子阱有源区获得双波长发光的主要障碍。通过掺入一定量的In来降...
关键词：InGaN量子阱 双波长LED MOCVD 
Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究被引量：6
《物理学报》2007年第2期1036-1040,共5页李彤 王怀兵 刘建平 牛南辉 张念国 邢艳辉 韩军 刘莹 高国 沈光地 
国家自然科学基金(批准号:60506012);北京市教委重点项目(批准号:KZ200510005003)资助的课题~~
采用Delta掺杂技术制备了p型氮化镓薄膜,并利用原子力显微镜、霍尔测试、X射线衍射、荧光光谱等测试手段对样品的形貌和电导性能进行了分析,发现Delta掺杂样品比均匀掺杂样品晶体质量和电导性能都有很大提高,说明Delta掺杂可有效抑制缺...
关键词：氮化镓 LEDS MOCVD Delta掺杂 
蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响被引量：1
《功能材料》2006年第12期1914-1916,共3页牛南辉 王怀兵 刘建平 刘乃鑫 邢艳辉 李彤 张念国 韩军 邓军 沈光地 
国家自然科学基金资助项目(60506012);北京市教委重点资助项目(KZ200510005003);北京市人才强教计划资助项目(052002015200504)
利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底（0～0．3°）上生长了非故意掺杂GaN薄膜，并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析。结果表明，采用具...
关键词：氮化镓 蓝宝石衬底 斜切角度 DCXRD MOCVD 
高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究
《物理学报》2006年第9期4951-4955,共5页刘乃鑫 王怀兵 刘建平 牛南辉 张念国 李彤 邢艳辉 韩军 郭霞 沈光地 
国家自然科学基金(批准号:60506012);北京市教委重点项目(批准号:KZ200510005003);北京工业大学博士科研启动基金(批准号:52002014200403)资助的课题.~~
采用金属有机物化学气相沉积方法生长得到具有不同Mg掺杂浓度InxGa1-xN(0≤x≤0.3)外延材料样品.对样品的电学特性和光学特性进行了系统的研究.研究发现在固定Mg掺杂浓度下,随In组分的提高,样品空穴浓度显著提高,最高达2.4×1019cm-3,M...
关键词：Mg掺杂InGaN 高空穴浓度 光致发光 金属有机物化学气相沉积 
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