蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响  

The effects of sapphire substrate mis-cut angle on the properties of GaN films

作　　者：牛南辉[1] 王怀兵[1] 刘建平[1] 刘乃鑫[1] 邢艳辉[1] 李彤[1] 张念国[1] 韩军[1] 邓军[1] 沈光地[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京100022

出　　处：《功能材料》2006年第12期1914-1916,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60506012);北京市教委重点资助项目(KZ200510005003);北京市人才强教计划资助项目(052002015200504)

摘　　要：利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底（0～0．3°）上生长了非故意掺杂GaN薄膜，并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析。结果表明，采用具有斜切角度的衬底，可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌、降低位错密度、提高GaN的晶体质量及其光电特性，并且存在一个衬底最优斜切角度0．2°，此时外延生长出的GaN薄膜的表面形貌和晶体质量最好。The undoped GaN films were grown on mis-eut sapphire substrates with different angle （0-0.3°） by MOCVD. Samples were investigated by microscopy, double crystal X-ray diffractometry （DCXRD）, photolumineseence （PL）, hall technique to character their morphological, crystal properties. The results revealed that the dislocation density of the GaN films decreased by using a suitable angle of mis-cut sapphire substrate. With an angle of 0.2°, the best surface morphological and crystal quality of the GaN films can be obtained.

关 键 词：氮化镓 蓝宝石衬底 斜切角度 DCXRD MOCVD 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]